申请/专利权人:群创光电股份有限公司
申请日:2020-07-31
公开(公告)日:2024-06-11
公开(公告)号:CN118175896A
主分类号:H10K59/80
分类号:H10K59/80;G09F9/30;H10K77/10;H10K59/12;H01L33/56;H01L33/20;H01L27/15
优先权:
专利状态码:在审-公开
法律状态:2024.06.11#公开
摘要:本发明提供一种电子装置。电子装置包括基底层、电子元件以及覆盖层。电子元件设置于基底层上,而覆盖层设置于电子元件上。基底层具有厚度T1以及杨氏系数E1,且覆盖层具有厚度T2以及杨氏系数E2,其中电子元件包括一金属层,且当金属层的杨氏系数大于90,000Mpa时,厚度T1、厚度T2、杨氏系数E1以及杨氏系数E2符合下列关系式:E2E1≤156.21×T2T1‑4.28。当电子元件的金属层的杨氏系数小于90,000Mpa时,厚度T1、厚度T2、杨氏系数E1以及杨氏系数E2符合下列关系式:E2E1≤18.33×T2T1‑3.15。
主权项:1.一种电子装置,其特征在于,包括:一基底层,该基底层具有一厚度T1以及一杨氏系数E1;一电子元件,设置于该基底层上;以及一覆盖层,设置于该电子元件上,该覆盖层具有一厚度T2以及一杨氏系数E2,其中该电子元件包括一金属层,且当该金属层的杨氏系数大于90,000Mpa时,该厚度T1、该厚度T2、该杨氏系数E1以及该杨氏系数E2符合下列关系式:E2E1≤156.21×T2T1-4.28,当该电子元件的该金属层的该杨氏系数小于90,000Mpa时,该厚度T1、该厚度T2、该杨氏系数E1以及该杨氏系数E2符合下列关系式:E2E1≤18.33×T2T1-3.15。
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权利要求:
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