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【发明公布】一种基于PdRh NCs修饰的纺锥形SnO2纳米材料传感器传感器及其制备方法_上海海洋大学_202410353334.0 

申请/专利权人:上海海洋大学

申请日:2024-03-26

公开(公告)日:2024-06-11

公开(公告)号:CN118169191A

主分类号:G01N27/12

分类号:G01N27/12

优先权:

专利状态码:在审-公开

法律状态:2024.06.11#公开

摘要:本发明公开了一种基于PdRhNCs修饰的纺锥形SnO2纳米材料传感器传感器,其特征在于,以检测元件中的芯片为基体,在芯片四角表面上蒸发、光刻对称金电极,金电极与元件的四脚底座连接,在芯片金电极表面上涂抹气敏材料薄膜。本发明以PdRh双金属负载的纺锤形SnO2纳米材料为敏感材料,将材料悬浊液点涂在芯片上形成敏感层制备传感器。本发明制备的基于PdRhNCs修饰的纺锥形SnO2纳米材料气体传感器制作方法简易,操作简便易上手,在实际检测过程中对样品的损耗较小,响应迅速,符合现场快速检测的需要,而且材料的稳定性好,可重复使用,这也大大降低了传感器的检测成本。

主权项:1.一种基于PdRhNCs修饰的纺锥形SnO2纳米材料传感器传感器,其特征在于,以检测元件中的芯片为基体,在芯片四角表面上蒸发、光刻对称金电极,金电极与元件的四脚底座连接,在芯片金电极表面上涂抹气敏材料薄膜。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 上海海洋大学 一种基于PdRh NCs修饰的纺锥形SnO2纳米材料传感器传感器及其制备方法

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