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申请/专利权人：北京曜能光电科技有限公司
申请日：2022-12-02
公开（公告）日：2024-06-11
公开（公告）号：CN118175860A
主分类号：H10K39/15
分类号：H10K39/15;H01L31/0216;H01L31/054;H01L31/06;H10K30/10;H01L31/18
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.11#公开
摘要：本发明提供钙钛矿晶硅叠层电池及其制备方法、钙钛矿太阳能电池、晶硅电池，涉及太阳能电池技术领域，该钙钛矿晶硅叠层电池包括晶硅底电池和钙钛矿顶电池，所述晶硅底电池与所述钙钛矿顶电池的界面上设有nc‑SiOx:H薄膜，其中，x＜2；所述nc‑SiOx:H薄膜的折射率介于晶硅的折射率和钙钛矿的折射率之间。本申请还提供钙钛矿晶硅叠层电池的制备方法、叠层电池和晶硅电池。本申请提供的技术方案能够解决钙钛矿晶硅叠层电池的界面减反问题，改善现有技术中TOPCon电池的结构设计应用到钙钛矿晶硅叠层电池中存在的光学失配的问题。
主权项：1.一种钙钛矿晶硅叠层电池，包括晶硅底电池和钙钛矿顶电池，其特征在于，所述晶硅底电池与所述钙钛矿顶电池的界面上设有nc-SiOx:H薄膜，x＜2；其中，所述nc-SiOx:H薄膜的折射率介于晶硅的折射率和钙钛矿的折射率之间。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京曜能光电科技有限公司 钙钛矿晶硅叠层电池及其制备方法、叠层电池和晶硅电池
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