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申请/专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日：2024-02-23
公开（公告）日：2024-06-11
公开（公告）号：CN118173539A
主分类号：H01L23/544
分类号：H01L23/544;H01L21/66;H10B41/30;G01R31/26
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.11#公开
摘要：本发明提供了一种测试结构版图、测试结构及测试方法，应用于半导体技术领域。具体的，本发明中同一列中的多个存储单元的浮栅或字线通过导电插塞和金属线连在一起，能够聚焦整个整列中的所有存储单元在形成多个导电插塞过程中的离子，进而有效监控导电插塞在形成过程中是否存在刻蚀离子击穿所造成的字线或浮栅与有源区短路，即导电插塞的刻蚀制程是否存在异常，从而调整导电插塞的刻蚀制程。
主权项：1.一种测试结构版图，其特征在于，包括：有源版图层，包括多条沿列方向延伸且沿行方向间隔设置的有源区图案；浮栅版图层或字线版图层，位于层间隔离版图层上，并包括多条沿列方向延伸且沿行方向间隔设置的浮栅图案或字线图案；层间隔离版图层，位于所述浮栅版图层或字线版图层上，且包括多个隔离图案；导电插塞版图层，位于所述层间隔离版图层和部分所述有源版图层上，且包括多个导电插塞图案；金属线版图层，位于所述导电插塞版图层上，并包括多条沿行方向延伸且沿列方向间隔设置的金属线图案；共享字线版图层，包括一沿列方向延伸且沿行方向设置在所述有源版图层、浮栅版图层或字线版图层一侧的共享字线图案；其中，隶属同一行的多个所述导电插塞图案位于同一所述金属线图案下，且每一所述金属线图案均沿行方向延伸覆盖在所述共享字线图案上。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海华虹宏力半导体制造有限公司 一种测试结构版图、测试结构及测试方法
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