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用于处理腔室的注入模块 

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申请/专利权人:应用材料公司

摘要:本公开内容关于一种用于处理腔室的气体注入模块。处理腔室包括:腔室主体;可旋转的基板支撑件,其设置在腔室主体的处理容积内部,基板支撑件被配置成具有旋转自旋速率;形成于腔室主体中的入口端口;及耦接到入口端口的注入模块。注入模块包括:主体;耦接到主体的一个或多个气体入口;形成在主体的供应面中的多个喷嘴,供应面被配置成面向腔室主体的内部,并且从注入模块离开的气体被配置成具有流速;处理腔室还包括控制器,控制器被配置成操作处理腔室使得流速与旋转自旋速率的比率在约13和3之间。

主权项:1.一种适用于半导体制造的处理腔室,包含:腔室主体;可旋转的基板支撑件,所述基板支撑件设置在所述腔室主体的处理容积的内部,所述基板支撑件被配置成具有旋转自旋速率;入口端口,所述入口端口形成于所述腔室主体中;及注入模块,所述注入模块耦接到所述入口端口,所述注入模块具有:主体;一个或多个气体入口,所述一个或多个气体入口耦接到所述主体;及多个喷嘴,所述多个喷嘴形成在所述主体的供应面中,所述供应面被配置成面向所述腔室主体的内部,并且从所述注入模块离开的气体被配置成具有流速;及控制器,所述控制器被配置成操作所述处理腔室,使得所述流速与所述旋转自旋速率的比率在约13和3之间。

全文数据:

权利要求:

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