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一种耐直流偏压和交变电压的光敏介电特性的钙钛矿结构化合物及其制备方法 

申请/专利权人:北京航空航天大学

申请日:2024-02-06

公开(公告)日:2024-06-11

公开(公告)号:CN118164533A

主分类号:C01G37/14

分类号:C01G37/14

优先权:

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2024.06.28#实质审查的生效;2024.06.11#公开

摘要:本发明提供一种耐直流偏压和交变电压的光敏介电特性的钙钛矿结构化合物及其制备方法,由4N高纯的氧化钐、氧化铬、氧化钛等试剂充分混合高温烧结得到的SmTixCr1‑xO3x=0.02~0.06化合物。用33MPa压力制成直径8毫米厚度约1毫米的圆饼试样,1400℃再次烧结12小时,降温至室温。在饼的两面采用磁控溅射半透明的金薄膜作测量电极。卤素可见光灯作光源,单光源单面照射方式,样品表面光强度可调,最大200mWcm2,在黑暗和光照状态分别测试交变电压0.1V~1.0V和直流偏压‑10V~10V下的100~106Hz介电常数和损耗。计算光介电常数的变化率,在低频100~1000Hz段,光介电常数急剧增加,变化率可达500%,同时损耗角正切反而变低。而这些光介电特性不随直流偏压和交变电压改变,呈现优异的抗电压能力。这些特性表明这种新型氧化物在电子技术与光电工程方面具有广阔的应用前景。

主权项:1.一种耐直流偏压和交变电压的光敏介电特性的钙钛矿结构化合物的制备方法,其特征在于,包括步骤如下:步骤1:钙钛矿结构化合物SmTixCr1-xO3x=0.02~0.06样品采用高温固相反应法合成;用精度为0.0001g的电子天平按照原子配比化学剂量精确称重99.99%4N高纯的氧化钐、氧化铬、氧化钛三种试剂,从而得到原子比Sm:Ti:Cr=1:x:1-x配比的混合氧化物;步骤2:将称量好的三种氧化物粉末放在玛瑙研钵中研磨,保证充分混合;然后放置于高温炉内烧结10小时;步骤3:最后将烧制后的化合物再次研磨,与步骤2一样;并将粉末称量一定重量放入压片模具中,通过压片机压片制样,在炉中再以1450℃烧结12小时,之后以3℃分钟冷却;烧完之后得到是圆片。

全文数据:

权利要求:

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