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申请/专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日：2023-08-24
公开（公告）日：2024-06-11
公开（公告）号：CN118174706A
主分类号：H03K17/567
分类号：H03K17/567;H03K17/04
优先权：["20221208 JP 2022-196535"]
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.11#公开
摘要：提供能够防止半导体元件的误触发的半导体驱动装置和半导体模块。在第一半导体元件和第二半导体元件的各半导体元件中，在将第三栅极电极的阈值电压设为Vth3、将第三关断栅极电阻的电阻值设为RCGsoff、将第三栅极电极与集电极电极之间的电容的电压依赖特性中的最小值设为minCCGsgc、将开通时的电压的时间位移设为dvd时，满足
主权项：1.一种半导体驱动装置，对分别具有集电极电极、发射极电极、第一栅极电极、第二栅极电极以及第三栅极电极的第一半导体元件和第二半导体元件进行驱动，将所述第一栅极电极、所述第二栅极电极以及所述第三栅极电极相互独立地进行控制，在从将所述第一栅极电极开通起至关断为止的期间，所述第二栅极电极的导通期间比所述第一栅极电极的导通期间短，所述第三栅极电极的导通期间比所述第二栅极电极的导通期间短，所述半导体驱动装置具备第三关断栅极电阻，该第三关断栅极电阻与所述第一半导体元件及所述第二半导体元件各自的所述第三栅极电极电连接，插入于对所述第三栅极电极提供使其关断的电位的第三关断布线，在所述第一半导体元件和所述第二半导体元件的各半导体元件中，在将所述第三栅极电极的阈值电压设为Vth3、将第三关断栅极电阻的电阻值设为RCGsoff、将所述第三栅极电极与所述集电极电极之间的电容的电压依赖特性中的最小值设为minCCGsgc、将开通时的电压的时间位移设为dvdt时，满足
全文数据：
权利要求：
百度查询： 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社 半导体驱动装置和半导体模块
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