申请/专利权人：中润新能源(滁州)有限公司

申请日：2024-02-28

公开（公告）日：2024-06-11

公开（公告）号：CN118173647A

主分类号：H01L31/18

分类号：H01L31/18;H01L31/0216;H01L21/67;B08B17/02;B08B15/04

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.06.28#实质审查的生效;2024.06.11#公开

摘要：本发明公开了一种Poly工艺与退火工艺的匹配方法及装置，涉及太阳能电池片技术领域，包括：制绒，正面硼扩散，背面刻蚀，LPCVD，磷扩，正面刻蚀，正面氧化铝钝化，背面氮化硅钝化，双面金属化，退火预热，主退火，冷却实现工艺的组合，在磷扩过程中，通过加入高厚度隧穿层与超低掺杂层之间的缓冲层是为了优化太阳能电池的性能，可以降低磷原子从Poly层向隧穿层的内扩，提高电池性能，通过引入缓冲层，可以减少磷原子直接与隧穿层接触的机会，通过优化缓冲层的材料和结构，可以使其与高温退火工艺相匹配，从而实现更好的晶化效果，能够更好的实现对电池片退火过程的冷却气流循环，退火装置能够在Poly工艺后，更好的匹配退火，配合使得电池片更好的晶化。

主权项：1.一种Poly工艺与退火工艺的匹配方法，其特征在于，包括：S1:制绒：在硅片的表面形成金字塔状的绒面；S2:正面硼扩散：在硅片的正面进行磷扩散，形成P+层，在进行扩散过程中，在氧气的配合下，POCl3在高温下分解生成五氯化磷和五氧化二磷，P2O5在扩散温度下与硅反应，生成二氧化硅和磷原子，磷原子渗透入硅片内部形成N区，从而完成P-N结的构建；S3:背面刻蚀：去除背面绕扩的硼扩散层，同时保留正面的BSG层；S4:LPCVD：沉积氧化遂穿层和poly硅钝化层；S5:磷扩：通过高厚度隧穿和增加超低的掺杂层，使隧穿与poly之间形成一个缓冲层；S6:正面刻蚀：将正面和边缘绕镀的poly硅以及正面的BSG层刻蚀掉，正刻槽的作用是通过HF+HNO3的混合溶液对硅片正面和边缘进行刻蚀，以达到去除正面及边缘BSG的作用；S7:正面氧化铝钝化：用AIO钝化硼扩散面；S8:背面氮化硅钝化：氮化硅钝化硼扩散面和磷扩散面，正背膜硅片表面形成一层Si3N4薄膜，既可作为减反射膜，增加对光的吸收，同时，在SiNx薄膜形成过程中产生的氢原子对硅片具有钝化作用，又因其结构致密保证硅片不被氧化；S9:双面金属化：通过双面印刷电极、烧结、退火完成金属化过程，烧结的目的是干燥硅片上的浆料，燃尽浆料的有机组分，使浆料和硅片形成良好的欧姆接触，把电极烧结在PN结上，高温烧结可以使电极穿透氮化硅膜，形成合金；S10:退火预热：将电池片置于匹配装置中，使其缓慢升温到退火温度；S11:主退火：在达到预定温度后，让电池片在匹配装置中保持一段时间，使其表面的缺陷和晶界得到改进；S12：冷却：将电池片从匹配装置中取出，自然冷却或通过快速冷却方式进行冷却，使硅片逐渐降温。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中润新能源(滁州)有限公司 一种Poly工艺与退火工艺的匹配方法及装置

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