申请/专利权人:东京毅力科创株式会社
申请日:2022-11-06
公开(公告)日:2024-06-11
公开(公告)号:CN118176564A
主分类号:H01L21/02
分类号:H01L21/02;C23C16/30;C23C16/505
优先权:["20211108 US 17/521,359"]
专利状态码:在审-公开
法律状态:2024.06.11#公开
摘要:一种等离子体处理的方法,其包括:使第一气体和第二气体流入包括衬底的等离子体处理室,该第二气体包含膜前体;在第一时间实例时,在保持该第一气体的流动的同时,切断该第二气体流入该等离子体处理室;以及在该第一时间实例之后的第二时间实例时,向该等离子体处理室的电极供电以在该等离子体处理室内产生等离子体,使该衬底的表面暴露于产生的等离子体以在该衬底上形成膜。
主权项:1.一种等离子体处理的方法,其包括:使第一气体和第二气体流入包括衬底的等离子体处理室,该第二气体包含膜前体;在第一时间实例时,在保持该第一气体的流动的同时,切断该第二气体流入该等离子体处理室;以及在该第一时间实例之后的第二时间实例时,向该等离子体处理室的电极供电以在该等离子体处理室内产生等离子体,使该衬底的表面暴露于产生的等离子体以在该衬底上形成膜。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 东京毅力科创株式会社 等离子体增强的成膜方法
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