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申请/专利权人：张江国家实验室
申请日：2022-12-08
公开（公告）日：2024-06-11
公开（公告）号：CN118173435A
主分类号：H01L21/027
分类号：H01L21/027;H01L21/336
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.11#公开
摘要：本发明提供一种用于制造鳍式场效应晶体管的鳍片的制造方法，其利用效率高、成本低、操作简单且能够实现线条密度倍增的光刻工艺来制造鳍式场效应晶体管的鳍片，从而能够以更高效率、更低成本、更简单的操作来形成更高密度的FinFET结构。
主权项：1.一种用于制造鳍式场效应晶体管的鳍片的制造方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：1在基底材料上利用负性光刻胶形成负胶层，并利用正性光刻胶在所述负胶层上形成正胶层；2对所述负胶层和所述正胶层进行图形化，从而在所述正胶层和所述负胶层上分别形成正图形区和负图形区，其中，所述正图形区大于所述负图形区；3用正胶显影液对所述正胶层进行显影，以去除所述正图形区中的正性光刻胶；4用负胶显影液对所述负胶层进行显影，以去除位于所述负图形区附近的负性光刻胶，进而提供与所述正图形区、所述负图形区的尺寸相关的暴露区，以暴露所述基底材料；5通过沉积技术在所述基底材料上形成沉积层；6去除剩余的负胶层和正胶层，从而仅在所述暴露区形成暴露区沉积层；7通过线切工艺对所述暴露区沉积层进行修正，以使其成为鳍片结构的掩膜；8利用所述鳍片结构的掩膜，通过刻蚀工艺对所述基底材料进行刻蚀，以形成鳍式场效应晶体管的鳍片结构。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 张江国家实验室 用于制造鳍式场效应晶体管的鳍片的制造方法及制造系统
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