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申请/专利权人：三菱电机株式会社
申请日：2023-12-01
公开（公告）日：2024-06-11
公开（公告）号：CN118163290A
主分类号：B29C45/14
分类号：B29C45/14;B29C45/26;B29C45/02;H01L21/56
优先权：["20221208 JP 2022-196224"]
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.11#公开
摘要：涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。提供能够提高可靠性的半导体装置的制造方法。半导体装置的制造方法具有以下工序：从模具的第1浇口注入封装材料，向型腔和封装材料蓄积部的至少一部分填充封装材料，该模具具有载置有电气电路的型腔、在型腔设置的第1浇口和第2浇口、设置于型腔的外侧且与第2浇口连接的封装材料蓄积部；以及使填充于封装材料蓄积部的封装材料经由第2浇口而回流至型腔。
主权项：1.一种半导体装置的制造方法，通过封装材料将包含半导体芯片和与所述半导体芯片电连接的多个金属导线在内的电气电路封装，该半导体装置的制造方法具有以下工序：从模具的第1浇口注入所述封装材料，向型腔和封装材料蓄积部的至少一部分填充所述封装材料，其中，该模具具有载置有所述电气电路的所述型腔、在所述型腔设置的所述第1浇口和第2浇口、设置于所述型腔的外侧且与所述第2浇口连接的所述封装材料蓄积部；以及使填充于所述封装材料蓄积部的所述封装材料经由所述第2浇口而回流至所述型腔。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 三菱电机株式会社 半导体装置及半导体装置的制造方法
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