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申请/专利权人：华中科技大学
摘要：本申请提供了一种抑制阈值电压漂移的选通管及其制备方法，属于微电子技术领域，选通管包括：第一金属电极层、选通开关层和第二金属电极层；选通开关层包括选通材料层和抑制层；选通材料层在电流或电压激励下产生离域态缺陷，形成第一金属电极层和第二金属电极层之间的导电通道；抑制层提高选通材料层的离域态激发能垒，同时抑制第二金属电极层和选通材料层的相互作用。本申请提供的选通管可以抑制阈值电压的漂移以及降低漏电流，降低了选通开关层的功耗，以实现更高循环次数的应用需求。
主权项：1.一种抑制阈值电压漂移的选通管，其特征在于，依次包括：第一金属电极层、选通开关层和第二金属电极层；所述选通开关层包括选通材料层和抑制层；所述抑制层位于选通材料层与第二金属电极层之间；所述选通材料层用于在电流或电压激励下产生离域态缺陷，形成第一金属电极层和第二金属电极层之间的导电通道；所述抑制层用于提高选通材料层的离域态激发能垒，降低离域态缺陷的局域化，抑制阈值电压漂移。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华中科技大学 一种抑制阈值电压漂移的选通管及其制备方法
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