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申请/专利权人：张江国家实验室
摘要：本发明涉及一种用于半导体工艺的图案化方法，其将利用效率高、成本低、操作简单且能够实现线条密度倍增的光刻工艺与SADP自对准双重成像技术；Self‑alignedDoublePatterning工艺有机结合，实现了图案密度的进一步增加以及图案尺寸的进一步微缩。
主权项：1.一种用于半导体工艺的图案化方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：1在基底材料上利用负性光刻胶形成负胶层，并利用正性光刻胶在所述负胶层上形成正胶层；2对所述负胶层和所述正胶层进行图形化，从而在所述正胶层和所述负胶层上分别形成正图形区和负图形区，其中，所述正图形区大于所述负图形区；3用正胶显影液对所述正胶层进行显影，以去除所述正图形区中的正性光刻胶；4用负胶显影液对所述负胶层进行显影，以去除位于所述负图形区附近的负性光刻胶，进而提供与所述正图形区、所述负图形区的尺寸相关的暴露区，以暴露所述基底材料；5通过沉积技术在所述基底材料上沉积转移层，然后去除剩余的负胶层和正胶层，从而仅在所述暴露区形成暴露区转移层；6以所述暴露区转移层为掩膜对所述基底材料进行刻蚀，然后去除所述暴露区转移层，以形成心轴；7在形成有所述心轴的所述基底材料上沉积间隔层；8利用干法刻蚀工艺来刻蚀所述间隔层的水平部分，保留所述心轴的侧壁附近的所述间隔层的垂直部分；9利用干法刻蚀工艺来刻蚀所述心轴，保留所述间隔层的垂直部分；10以所述间隔层的垂直部分为掩膜，利用干法刻蚀工艺来刻蚀所述基底材料；11利用干法刻蚀工艺来刻蚀所述间隔层的垂直部分。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 张江国家实验室 用于半导体工艺的图案化方法及图案化系统
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