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申请/专利权人：西南交通大学
申请日：2024-02-27
公开（公告）日：2024-06-11
公开（公告）号：CN118169210A
主分类号：G01N27/414
分类号：G01N27/414;G01N27/12;C23C14/35;C23C14/54;C23C14/16;C23C14/18;C23C14/02;C23C14/58
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.11#公开
摘要：本发明公开了一种具有梯度合金成分分布的氢气敏感单元及制备方法，包括衬底、沉积在衬底上的缓冲层和沉积在缓冲层上的氢气敏感层；氢气敏感层为厚度方向上具有梯度成分分布的钯基氢敏合金，氢气敏感层外形为圆弧过渡的环形曲线；制备时，采用磁控溅射方法依次在衬底上沉积过渡层和氢气敏感层。本发明降低了敏感单元膜层间的应力梯度和元素扩散速度，提高了传感器的长期稳定性。
主权项：1.一种具有梯度合金成分分布的氢气敏感单元，其特征在于，包括衬底1、沉积在衬底1上的缓冲层2和沉积在缓冲层2上的氢气敏感层3，氢气敏感层3为厚度方向上具有梯度成分分布的钯基氢敏合金，氢气敏感层3外形为圆弧过渡的环形曲线。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西南交通大学 一种具有梯度合金成分分布的氢气敏感单元及制备方法
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