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申请/专利权人：晶存阵列(上海)科技有限公司
申请日：2024-04-26
公开（公告）日：2024-06-11
公开（公告）号：CN118171700A
主分类号：G06N3/0475
分类号：G06N3/0475;G06N3/045;G06N3/094;G06N3/092;G06N3/006
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.11#公开
摘要：本发明提供一种多条件GAN模型的训练方法、电子设备和可读存储介质，所述训练方法包括以下步骤：通过多条件GAN模型中的生成器，基于噪声因子和半导体芯片的目标规格，来预测并生成能实现该目标规格的虚拟用户模式参数；从基于优化采样轨迹策略而收集到的数据集中，获取真实目标规格以及能实现该真实目标规格的真实用户模式参数；将生成器所生成的虚拟用户模式参数、以及从收集到的数据集中获取到的真实目标规格和真实用户模式参数作为判别器的输入，以对多条件GAN模型进行迭代训练；根据训练完毕的多条件GAN模型，基于所需要的半导体芯片的目标规格来预测并生成能实现该目标规格的用户模式参数。
主权项：1.一种多条件GAN模型的训练方法，所述多条件GAN模型用于半导体芯片领域，其具备生成器和判别器，所述多条件GAN模型的训练方法的特征在于，包括以下步骤：通过所述多条件GAN模型中的所述生成器，基于噪声因子和所述半导体芯片的目标规格，来预测并生成能实现该目标规格的虚拟用户模式参数；从基于优化采样轨迹策略而收集到的数据集中，获取真实目标规格、以及能实现该真实目标规格的真实用户模式参数；将所述生成器所生成的所述虚拟用户模式参数、以及从收集到的所述数据集中获取到的所述真实目标规格和所述真实用户模式参数作为所述判别器的输入，以对所述多条件GAN模型进行迭代训练；根据训练完毕的所述多条件GAN模型，基于所需要的所述半导体芯片的目标规格来预测并生成能实现该目标规格的用户模式参数。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 晶存阵列(上海)科技有限公司 多条件GAN模型的训练方法、电子设备和可读存储介质
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