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申请/专利权人：矽磐微电子(重庆)有限公司
申请日：2022-12-08
公开（公告）日：2024-06-11
公开（公告）号：CN118173452A
主分类号：H01L21/48
分类号：H01L21/48;H01L21/50;H01L21/56;H01L21/60;H01L23/31;H01L23/498
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.11#公开
摘要：本发明提供一种半导体封装方法。该半导体封装方法包括：提供第一载板；在第一载板上设置导电层；在导电层上形成第一介电层，第一介电层中具有多个线路开口，多个线路开口露出导电层；以导电层作为导电辅助层，在多个线路开口内电镀形成第一再布线层；以及在第一介电层和第一再布线层上安装芯片。如此，形成的第一再布线层能够避免由于剥去干膜和蚀刻溅射镀种子层导致第一再布线层脱落等问题，提高了再布线层的可靠性。本发明还提供一种半导体封装结构。该半导体封装结构包括第一介电层和位于第一介电层中的线路开口内的第一再布线层。
主权项：1.一种半导体封装方法，其特征在于，包括：提供第一载板；在所述第一载板上设置导电层；在所述导电层上形成第一介电层，所述第一介电层中具有多个线路开口，所述多个线路开口露出所述导电层；以所述导电层作为导电辅助层，在所述多个线路开口内电镀形成第一再布线层；以及在所述第一介电层和所述第一再布线层上安装芯片。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 矽磐微电子(重庆)有限公司 半导体封装方法和半导体封装结构
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