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申请/专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日：2024-02-22
公开（公告）日：2024-06-11
公开（公告）号：CN118173556A
主分类号：H01L27/02
分类号：H01L27/02;H01L29/06
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.06.28#实质审查的生效;2024.06.11#公开
摘要：本说明书实施例提供了一种开启与保持特性可调的高鲁棒性ESD器件，按照从上到下的顺序依次包括：NMOS层、中间硅层和衬底；所述中间硅层包括第一阱、第二阱和中层注入区，所述第一阱和所述第二阱构成PN结；所述第一阱、所述第二阱构和所述中层注入区构成电流控制结构。本申请提供的技术方案用以解决现有技术在SOI的衬底中构建ESD器件会增大泄露电流的问题。
主权项：1.一种开启与保持特性可调的高鲁棒性ESD器件，其特征在于，按照从上到下的顺序依次包括：NMOS层、中间硅层和衬底；所述中间硅层包括第一阱、第二阱和中层注入区，所述第一阱和所述第二阱构成PN结；所述第一阱、所述第二阱构和所述中层注入区构成电流控制结构。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院微电子研究所 一种开启与保持特性可调的高鲁棒性ESD器件
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