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申请/专利权人：环球晶圆股份有限公司
申请日：2020-05-15
公开（公告）日：2024-06-11
公开（公告）号：CN112117324B
主分类号：H01L29/20
分类号：H01L29/20;H01L29/205;H01L21/02
优先权：["20190620 TW 108121433"]
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.11#授权;2021.01.08#实质审查的生效;2020.12.22#公开
摘要：一种具有氮化铝成核层的基板包括一硅基材及一氮化铝成核层；所述氮化铝成核层系设置于所述硅基材上；其中，所述氮化铝成核层的厚度为20nm至200nm；所述氮化铝成核层的表面粗糙度系小于或等于0.4nm；所述氮化铝成核层的X光衍射摇摆曲线的波峰的半高宽FWHM系小于或等于4000角秒；所述氮化铝成核层中无滑移线。其中，硅基材为含硅的基材，且其材质例如可为碳化硅SiC或硅Si。一种具有氮化铝成核层的基板的制造方法亦在此揭露。由于基板的氮化铝成核层无滑移线产生，因此后续形成的磊晶层可具有较好的质量。
主权项：1.一种具有氮化铝成核层的基板，包括：一硅基材；以及一氮化铝成核层，设置于所述硅基材上；其中，所述氮化铝成核层的厚度为20nm至200nm；所述氮化铝成核层的表面粗糙度小于或等于0.4nm；所述氮化铝成核层的X光衍射摇摆曲线的波峰的半高宽小于或等于4000角秒；其中，所述具有氮化铝成核层的基板包含以10℃min至20℃min的降温条件降温制成，借此，所述氮化铝成核层中无滑移线。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 环球晶圆股份有限公司 具有氮化铝成核层的基板及其制造方法
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