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申请/专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日：2020-10-21
公开（公告）日：2024-06-11
公开（公告）号：CN112305407B
主分类号：G01R31/28
分类号：G01R31/28
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.11#授权;2021.02.23#实质审查的生效;2021.02.02#公开
摘要：本发明涉及定位测试结构失效位置的方法，涉及半导体集成电路失效分析技术，首先获得测试结构的失效模型，然后将测试结构中的器件结构中的PN结开启，利用显微镜定位到存在PN结导通区域的测试结构组，而可快速定位到目标区域，最后根据失效模型向器件的失效模型对应的端子施加测试信号，获得对应端子的测试信号的异常发光点，并将倍率逐渐放大，进而锁定到失效位置，如此通过PN结开启可快速定位到目标区域，然后通过切换测试条件而快速锁定到失效位置，且可避免现有技术中的因背景噪声信号较大，会淹没失效点信号，而无法定位的问题。
主权项：1.一种定位测试结构失效位置的方法，其特征在于，包括：S1：提供一可能存在故障的测试结构，进行失效验证，确认可能存在故障的测试结构存在失效，并获得失效模型，其中该测试结构包括一器件，器件结构中存在PN结，且存在PN结的器件为三端开关器件，三端开关器件包括源极、漏极和门极，其中源极和漏极与阱之间形成有所述PN结；S2：将测试结构中的器件结构中的PN结开启，利用显微镜定位到存在PN结导通区域的测试结构组，进而快速定位到目标区域，且PN结开启为将源极或漏极与阱之间形成的PN结开启；以及S3：根据失效模型向器件的失效模型对应的端子施加测试信号，在器件结构不被破坏的前提下，获得对应端子的测试信号的异常发光点，并将倍率逐渐放大，进而锁定到失效位置；其中，测试结构失效为GOI失效、SD漏电、ESD损伤或金属短路，失效模型包括门极到阱的漏电失效模型及源极到漏极的漏电失效模型，S2中所述显微镜为光发射显微镜。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海华力集成电路制造有限公司 定位测试结构失效位置和原因的方法
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