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申请/专利权人：高通股份有限公司
摘要：公开了使用混合网格和支柱布置的配电网络PDN。具体地，用于设计集成电路IC的过程在放置和路由所述IC的所述PDN时考虑到各种设计标准。示范性设计标准包括开关频率、电流密度和去耦电容以及它们对温度的影响。在局部温度高的区域中，使用电网结构。在其它区域中，可以使用共享金属轨道支柱。通过将电网与支柱混合，所述IC可以通过允许所述网格帮助散热并辅助去耦电容来减少局部热点，同时在高电流密度的区域中提供支柱以减少电阻损耗。
主权项：1.一种集成电路IC，其包含：衬底，其上具有有源层，所述有源层具有具有影响局部热条件或受局部热条件影响的第一特性的第一区域，以及与所述第一区域邻近的第二区域，所述第二区域具有与所述第一特性不同的第二特性；多个金属层，其位于所述有源层上方；以及配电网络PDN，其包含：多个支柱，其延伸通过位于最靠近所述有源层的至少四个金属层；以及网格，其由位于最靠近所述有源层的所述至少四个金属层内的金属迹线形成，所述网格互连所述多个支柱的至少一个子集，其中所述网格从所述第一区域延伸到所述第二区域以减轻所述局部热条件对所述第一区域的影响。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 高通股份有限公司 使用混合网格和支柱布置的配电网络(PDN)
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