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申请/专利权人：三星电子株式会社
申请日：2020-06-19
公开（公告）日：2024-06-11
公开（公告）号：CN112117323B
主分类号：H01L29/06
分类号：H01L29/06;H01L27/02;H01L21/8234
优先权：["20190621 KR 10-2019-0074082"]
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.11#授权;2021.07.23#实质审查的生效;2020.12.22#公开
摘要：提供了一种半导体器件及半导体器件的制造方法。所述半导体器件包括：基底，具有单元区域和外围区域；单元栅极结构，设置在单元区域上；第一杂质区域和第二杂质区域，在单元区域中分别布置在单元栅极结构的第一侧和第二侧上；位线结构，设置在单元栅极结构上并且连接到第一杂质区域；外围栅极结构，设置在外围区域上；外围盖层，设置在外围区域上，覆盖外围栅极结构，并且具有与位线结构的上端在基本上同一水平处的上表面；以及单元接触结构，设置在第二杂质区域上，并且具有导电阻挡件和位于导电阻挡件上的接触材料层，其中，导电阻挡件覆盖位线结构的上端。
主权项：1.一种半导体器件，所述半导体器件包括：基底，包括单元区域和外围区域；单元栅极结构，设置在所述单元区域上；第一杂质区域和第二杂质区域，在所述单元区域中分别布置在所述单元栅极结构的第一侧和第二侧上；位线结构，设置在所述单元栅极结构上并且连接到所述第一杂质区域；外围栅极结构，设置在所述外围区域上；外围盖层，设置在所述外围区域上，覆盖所述外围栅极结构，并且具有与所述位线结构的上端在基本上同一水平处的上表面；以及单元接触结构，设置在所述第二杂质区域上，并且具有导电阻挡件和位于所述导电阻挡件上的接触材料层，其中，所述导电阻挡件覆盖所述位线结构的所述上端。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 三星电子株式会社 半导体器件及半导体器件的制造方法
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