申请/专利权人：深圳市芯生半导体有限公司

申请日：2021-11-25

公开（公告）日：2024-06-11

公开（公告）号：CN114219058B

主分类号：G06K19/07

分类号：G06K19/07

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.06.11#授权;2022.04.08#实质审查的生效;2022.03.22#公开

摘要：本申请提供一种射频模拟电路及电子标签，通过整流模块将输入的谐振信号整流为第一信号，通过钳位调制模块将第一信号限制在预设幅值内，并根据调制信号对第一信号进行调制，以用于输出内部数据，通过控制模块向钳位调制模块发送调制信号。本申请通过将谐振信号幅值的钳位和谐振信号高低电平的调制整合在一起，从而使谐振信号的幅值以及调制信号的幅值限制在器件的耐压范围之内，保证器件工作的安全性。

主权项：1.一种射频模拟电路，其特征在于，包括整流模块、钳位调制模块和控制模块；所述钳位调制模块与所述整流模块和所述控制模块电连接；所述整流模块，被配置为将输入的谐振信号整流为第一信号；所述钳位调制模块，被配置为将所述第一信号限制在预设幅值内，并根据调制信号对所述第一信号进行调制，以用于输出内部数据；所述控制模块，被配置为向所述钳位调制模块发送调制信号；所述钳位调制模块包括调制单元和钳位单元；所述钳位单元和所述调制单元均与所述整流模块电连接；所述钳位单元，被配置为将所述第一信号限制在预设幅值内；所述调制单元，被配置为根据调制信号对所述第一信号进行调制；所述调制单元包括第一PMOS管、第二PMOS管、第四PMOS管、第七PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第五NMOS管、第一三极管和第二三极管；所述第一PMOS管的源极与所述第一三极管的发射极、所述第二三极管的基极和所述钳位单元电连接，所述第二三极管的发射极与所述第二PMOS管的漏极电连接，所述第二PMOS管的源极与所述整流模块电连接；所述第一PMOS管的漏极与所述第一PMOS管的栅极、所述第一NMOS管的漏极电连接；第一调制信号与所述第一NMOS管的栅极和所述第二NMOS管的栅极电连接，所述第二NMOS管的漏极与所述第四PMOS管的栅极、所述第四PMOS管的漏极和所述第七PMOS管的源极电连接，所述第四PMOS管的源极与所述第一三极管的基极电连接；所述第七PMOS管的漏极与所述第七PMOS管的栅极、所述第五NMOS管的漏极和所述第五NMOS管的栅极电连接；所述第一NMOS管的源极、所述第二NMOS管的源极、所述第五NMOS管的源极、所述第一三极管的集电极和所述第二三极管的集电极均接地。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 深圳市芯生半导体有限公司 射频模拟电路及电子标签

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