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申请/专利权人：深圳天狼芯半导体有限公司
申请日：2024-02-23
公开（公告）日：2024-06-11
公开（公告）号：CN117810250B
主分类号：H01L29/06
分类号：H01L29/06;H01L29/778
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.11#授权;2024.04.19#实质审查的生效;2024.04.02#公开
摘要：一种增强型垂直HEMT器件，其包括由下至上依次层叠设置的漏极结构、衬底层、缓冲层、沟道层和势垒层；间隔设置在势垒层上的栅极结构和源极结构；形成于缓冲层顶部的电流阻挡层，以及形成于电流阻挡层顶部的插入层，插入层的上表面与沟道层的下表面接触，插入层用于抬升插入层与沟道层的接触面上方的能带，以用于隔断源极结构下方的第一二维电子气与缓冲层与沟道层的接触面上方的第二二维电子气；插入层与沟道层的接触面位于栅极结构的下方。通过插入层抬升其上方的能带，以隔断第一二维电子气与第二二维电子气，使得源极结构处的电子无法通过二维电子气传输至缓冲层，进而无法与漏极结构连通，可以通过插入层可以使器件成为增强型器件。
主权项：1.一种增强型垂直HEMT器件，其特征在于，包括：由下至上依次层叠设置的漏极结构、衬底层、缓冲层、沟道层和势垒层；间隔设置在所述势垒层上的栅极结构和源极结构；形成于所述缓冲层顶部的电流阻挡层，所述电流阻挡层的上表面与所述沟道层的下表面接触，所述缓冲层的部分上表面与所述沟道层接触，所述源极结构位于所述电流阻挡层与所述沟道层的接触面的上方；以及形成于所述电流阻挡层顶部的插入层，所述插入层的上表面与所述沟道层的下表面接触，所述插入层的厚度为所述势垒层的厚度的十倍以上，所述插入层用于抬升所述插入层与所述沟道层的接触面上方的能带，以用于隔断位于所述源极结构下方的第一二维电子气和位于所述缓冲层与所述沟道层的接触面上方的第二二维电子气；所述插入层与所述沟道层的接触面以及所述缓冲层与所述沟道层的接触面均位于所述栅极结构的下方；所述栅极结构包括多个栅极金属层，相邻的两个所述栅极金属层相互接触，相邻的两个所述栅极金属层的材料的功函数不相等，所述插入层与所述沟道层的接触面位于多个所述栅极金属层的下方，以用于提高沟道载流子的移动速度。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 深圳天狼芯半导体有限公司 增强型垂直HEMT器件
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