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【实用新型】LED芯片_深圳市思坦科技有限公司_202322211347.8 

申请/专利权人:深圳市思坦科技有限公司

申请日:2023-08-17

公开(公告)日:2024-06-11

公开(公告)号:CN221125978U

主分类号:H01L33/60

分类号:H01L33/60

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2024.06.11#授权

摘要:本公开的实施例提供一种LED芯片,包括:驱动基板和微型LED芯片阵列,所述微型LED芯片阵列包括阵列排布的多个发光单元,以及设置在相邻发光单元之间的反射结构;发光单元至少包括第一半导体层、发光层和第二半导体层;反射结构包括反射膜和开口结构,反射膜形成在开口结构的侧壁,开口结构的开口方向与发光单元的发光方向相反;反射结构的高度为H1,发光单元的发光层和所述第一半导体层的高度为H2,H1和H2满足:H1≥H2;发光层中沿第一方向出射的光经反射膜反射后沿发光单元的发光方向射出,第一方向与所述发光单元的发光方向垂直,实现从第一半导体和第二半导体的侧面发出的光子经过反射膜后沿发光单元的发光方向射出,降低LED芯片的功耗。

主权项:1.一种LED芯片,其特征在于,包括:衬底基板和微型LED芯片阵列,所述微型LED芯片阵列包括阵列排布的多个发光单元,以及设置在相邻发光单元之间的反射结构;所述发光单元至少包括第一半导体层、发光层和第二半导体层;所述反射结构包括反射膜和开口结构,所述反射膜形成在所述开口结构的侧壁,所述开口结构的开口方向与所述发光单元的发光方向相反;所述反射结构的高度为H1,所述发光单元的发光层和所述第一半导体层的高度为H2,H1和H2满足:H1≥H2;所述发光层中沿第一方向出射的光经所述反射膜反射后沿所述发光单元的发光方向射出,所述第一方向与所述发光单元的发光方向垂直。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 深圳市思坦科技有限公司 LED芯片

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