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申请/专利权人：苏州晶方半导体科技股份有限公司
申请日：2023-09-28
公开（公告）日：2024-06-11
公开（公告）号：CN221127254U
主分类号：H03H9/10
分类号：H03H9/10;H03H9/24
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.11#授权
摘要：本实用新型公开了一种芯片封装结构，包括芯片以及硅基板。所述芯片具有第一表面，所述芯片的第一表面上形成有功能区；所述硅基板具有第一表面，所述硅基板的第一表面上形成有聚合物材料的第一绝缘层，所述硅基板的第一表面压合于所述芯片的第一表面上且与所述芯片的第一表面之间形成有空腔，所述功能区位于所述空腔内。本实用新型的芯片封装结构，其能够降低FBAR薄膜体声波谐振器芯片的封装成本，提升FBAR薄膜体声波谐振器芯片的封装性能。
主权项：1.一种芯片封装结构，其特征在于，包括：芯片，具有第一表面，所述芯片的第一表面上形成有功能区；硅基板，具有第一表面，所述硅基板的第一表面上形成有聚合物材料的第一绝缘层，所述硅基板的第一表面压合于所述芯片的第一表面上且与所述芯片的第一表面之间形成有空腔，所述功能区位于所述空腔内。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 苏州晶方半导体科技股份有限公司 芯片封装结构
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