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申请/专利权人：航天科工惯性技术有限公司
摘要：本发明提供了一种NandFlash存储器的坏块判断与数据存储方法，所述方法包括：S10、获取NandFlash存储器的出厂坏块，并建立原始坏块表；S20、基于原始坏块表对NandFlash存储器中的非出厂坏块进行擦除，获取擦除过程中新产生的坏块，并将新产生的坏块的编号更新至原始坏块表；S30、基于更新后的坏块表对NandFlash存储器中的非坏块按页进行写入，以完成NandFlash存储器的数据存储。本发明能够解决现有技术中NandFlash存储器存在坏块导致数据存取时可靠性较低的技术问题。
主权项：1.一种NandFlash存储器的坏块判断与数据存储方法，其特征在于，所述方法包括：S10、获取NandFlash存储器的出厂坏块，并建立原始坏块表；S20、基于原始坏块表对NandFlash存储器中的非出厂坏块进行擦除，获取擦除过程中新产生的坏块，并将新产生的坏块的编号更新至原始坏块表；S30、基于更新后的坏块表对NandFlash存储器中的非坏块按页进行写入，以完成NandFlash存储器的数据存储；其中，在S30中，基于更新后的坏块表对NandFlash存储器中的非坏块按页进行写入，以完成NandFlash存储器的数据存储包括：S31、基于更新后的坏块表判断待写入的当前页所在块是否为坏块，若是，转至S32，否则，转至S33；S32、当前页地址增加64，并转至S31；S33、判断当前页是否为首页，若是，转至S35，否则，转至S34；S34、将待拷贝坏块中当前页之前的所有页的数据拷贝至当前块对应页，并判断是否拷贝成功，若是，转至S35，否则，转至S37；其中，待拷贝坏块为当前块之前最近的有效块之后的第一个坏块；S35、写入当前页，并判断是否写入成功，若是，转至S36，否则，转至S37；S36、判断是否完成当前块所有页的写入，若是，当前页地址增加1，并转至S31，否则，当前页地址增加1，并转至S35；S37、将当前页所在块的编号加入更新后的坏块表，并转至S32。
全文数据：
权利要求：
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