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申请/专利权人：电子科技大学
摘要：本发明涉及薄膜器件制造加工领域，具体为一种用于单晶衬底的层分离方法。本发明采用质量小、穿透力强的荷能粒子，将荷能粒子在目标单晶衬底预设的剥离界面进行聚焦从而形成损伤层，该工艺剥离深度范围大且可控，且仅在聚焦点处形成相对较小的损伤、而不影响其它地方晶体；因此经过损伤层分离处理后的衬底仍然具有高的晶体质量，经过热退火、表面平坦化等处理过后可以重复利用。本发明有效解决了现有技术因单晶衬底无法回收利用导致成本较高的问题，为制备特定的薄层单晶衬底提供了一种新的路径。
主权项：1.一种用于单晶衬底的层分离方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1、对于目标单晶衬底，先确定其预设的剥离界面；步骤2、根据目标单晶衬底的材料种类以及剥离界面的位置选定相应的荷能粒子种类、波长和入射角度参数，进而通过荷能粒子照射目标单晶衬底，在目标单晶衬底预设的剥离界面聚焦，诱发该剥离界面对应深度材料的物化反应，从而形成损伤层；其中，所述荷能粒子能够穿透目标单晶衬底，并在预设的剥离界面聚焦；步骤3、通过步骤2形成的损伤层将目标单晶衬底解离为两部分，一部分为所需单晶衬底，另一部分则可继续利用。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 电子科技大学 一种用于单晶衬底的层分离方法
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