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申请/专利权人：武汉天马微电子有限公司
申请日：2024-04-03
公开（公告）日：2024-06-14
公开（公告）号：CN118198105A
主分类号：H01L29/06
分类号：H01L29/06;H01L29/36;H10K59/121;H01L29/772
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.14#公开
摘要：本发明实施例提供的一种半导体器件、显示面板和显示装置，半导体器件包括衬底和半导体层；在衬底的厚度方向上，半导体层位于衬底的一侧；半导体层包括第一电极区、第二电极区和第一浓度区，上述技术方案解决了半导体器件为了避免在较大的电压下产生DIBL效应导致Vth发生较大漂移，而增加第一电极区和第二电极区之间的沟道长度，长度增加带来的电阻增大从而导致电流降低的问题，通过设置掺杂区以提高第一电极区和第二电极区之间的半导体层的导电性，可弥补沟道加长时对电流的负面影响，使得器件可设置长沟道，避免短沟道带来的Vth漂移的问题的同时稳定电流，避免长沟道导致电流下降的问题。
主权项：1.一种半导体器件，其特征在于，包括衬底和半导体层；在所述衬底的厚度方向上，所述半导体层位于所述衬底的一侧；所述半导体层包括第一电极区、第二电极区和第一浓度区，所述半导体层中所述第一浓度区的载流子浓度大于所述第一浓度区之外的区域的载流子浓度；在第一方向上，所述第一浓度区位于所述第一电极区和所述第二电极区之间；所述第一方向为所述半导体层中载流子在所述第一电极区和所述第二电极区之间迁移的方向。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 武汉天马微电子有限公司 一种半导体器件、显示面板和显示装置
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