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申请/专利权人：成都今是科技有限公司
摘要：本公开提供一种微孔阵列及其制备方法。根据本公开的微孔阵列的每个微孔结构单元包括：ASIC衬底、金属层、钝化层、介质层、电极层和微孔层。形成从微孔层的顶部贯穿至电极层顶部的微孔。在一种实现中，微孔的侧壁从上至下分别是微孔层和电极层。在保持微孔截面尺寸不变的情况下，增加微孔中所暴露的电极层的表面积；或者在保持微孔中所暴露的电极层的表面积不变的情况下，减小微孔截面尺寸。由此，提升了电压驱动力和芯片集成度。
主权项：1.一种微孔阵列，其特征在于，所述微孔阵列的每个微孔结构单元包括：ASIC衬底；金属层，位于所述ASIC衬底之上；钝化层，位于所述ASIC衬底之上；介质层，位于所述金属层和所述钝化层之上，完全覆盖所述钝化层的顶部，并且覆盖所述金属层的顶部的部分区域；电极层，位于所述金属层和所述介质层之上，覆盖所述金属层的顶部未覆盖介质层的区域以及所述介质层的顶部的部分区域；微孔层，位于所述介质层和所述电极层之上，其中，在所述微孔层中形成微孔，所述微孔从所述微孔层的顶部贯穿至覆盖所述金属层的顶部的所述电极层的顶部，并且其中，所述微孔的侧壁从上至下分别是微孔层和电极层。
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权利要求：
百度查询： 成都今是科技有限公司 微孔阵列及其制备方法
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