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【发明公布】一种单晶硅引放温度补偿方法_乌海市京运通新材料科技有限公司_202410120870.6 

申请/专利权人:乌海市京运通新材料科技有限公司

申请日:2024-01-29

公开(公告)日:2024-06-14

公开(公告)号:CN118186571A

主分类号:C30B15/20

分类号:C30B15/20;C30B29/06

优先权:

专利状态码:在审-公开

法律状态:2024.06.14#公开

摘要:本发明公开了一种单晶硅引放温度补偿方法,具体涉及单晶硅生产领域,本发明以不同引晶长度对应的引晶平均拉速不同,根据工艺建立引晶拉速‑功率模型,根据引晶拉速模型与实际拉速偏差大小,判定功率偏移幅度,在放肩阶段设置放肩启动条件,在达到工艺规定引晶长度后,判定拉速是否符合,如符合,则按照正常放肩工艺进行放肩,如不符合,则进入放肩控温阶段,根据拉速功率偏差进行调整,达到要求拉速,响应时长后,进行自动放肩。本发明通过检测单晶硅引晶拉速,在放肩头部对单晶炉功率进行调控,实现单晶硅放肩工序温度的超前、精准控制,提高引放成活率,增加调温引放利用率,减少工时损耗,为全过程自动化提供基础。

主权项:1.一种单晶硅引放温度补偿方法,其特征在于:具体步骤为:S1:通过对引晶样本数据的跟踪,确定单晶硅引晶过程中对应的引放成活率较高的引晶拉速区间及放肩工艺;S2:收集不同引晶拉速、引晶时间对应功率数据;S3:通过上述S2中收集的对应数据建立引晶拉速-功率偏差模型,收集工艺放肩模型;S4:然后通过上述S3中收集的工艺放肩模型建立放肩控温补偿表;S5:通过数据采集判断当前单晶硅的引晶拉速是否在最优拉速偏差范围;S6:根据所述最优引晶目标拉速与实际引晶拉速之间的偏差,在放肩初始阶段对所述目标单晶硅的放肩工序进行调控;S7:遵照系统内部程序放肩控温补偿表,根据拉速偏差对应功率、拉速、响应时长做自动调整,进行自动放肩。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 乌海市京运通新材料科技有限公司 一种单晶硅引放温度补偿方法

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