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申请/专利权人：无锡力芯微电子股份有限公司
申请日：2024-05-15
公开（公告）日：2024-06-14
公开（公告）号：CN118199613A
主分类号：H03K19/0175
分类号：H03K19/0175;H03K19/017
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.14#公开
摘要：本发明涉及集成电路技术领域，具体说是一种关断电流为零的高速电平移位电路。它的特点是当IN_VDD由低变高时，可迅速将A点电压拉低，使输出信号OUT_BST变为VBST。当IN_VDD由高变低时，反相器INV1的输出为高，冲息触发电路Oneshot产生高脉冲信号，通过电流镜一产生大电流，迅速将A点电压拉升至高电压，输出信号OUT_BST变为VSW。当IN_VDD持续为低时，冲息触发电路Oneshot输出脉冲停止，NMOS管M11的电流为零，由于上拉电阻R1作用，OUT_BST仍为VSW，实现关断电流为零。该电平移位电路的相应速度快，关断电流为零。
主权项：1.一种关断电流为零的高速电平移位电路，其特征在于，包括输入信号单元和输出信号单元；所述输出信号单元含有一端与输出信号的电源VBST相连的电阻R1，电阻R1的另一端为A点，A点与高电压域相对地的电压VSW适配连接，A点分别与电流镜一的输出部、NMOS管M4的漏级和缓冲器Buf的输入端相连，缓冲器Buf的输出端与反相器INV3的输入端相连，反相器INV3的输出端输出信号OUT_BST；所述电流镜一的输入部与NMOS管M5的漏级相连，NMOS管M5源级与电阻R3的一端相连，电阻R3的另一端与NMOS管M11的漏级相连，NMOS管M11的源级接地；所述NMOS管M4的源级与电流镜二的输出部相连；所述输入信号单元含有反相器INV1和反相器INV2，输入信号单元的输入信号IN_VDD与反相器INV1的输入端相连，反相器INV1的输出端分别与冲息触发电路Oneshot的输入端和反相器INV2的输入端相连，冲息触发电路Oneshot的输出端分别与所述NMOS管M5和NMOS管M11的栅极相连；所述反相器INV2的输出端与分别与所述NMOS管M4的栅极和电流镜二的开关相连，当输入信号IN_VDD为高电平时，电流镜二启动，当输入信号IN_VDD为低电平时，电流镜二停止。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 无锡力芯微电子股份有限公司 一种关断电流为零的高速电平移位电路
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