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申请/专利权人：三星电子株式会社
摘要：一种半导体存储器件，包括：衬底，包括在存储单元区中的多个有源区；多个位线结构，在存储单元区中沿第一水平方向彼此平行地延伸；多个掩埋接触部，分别电连接到有源区，并且部分地填充位线结构之间的空间；多个下着接焊盘，在位线结构之间的空间中，并且分别在掩埋接触部上；着接焊盘绝缘结构，与位线结构和下着接焊盘接触，并且包括多个着接焊盘孔；多个上着接焊盘，分别填充着接焊盘孔，并且分别连接到下着接焊盘；以及多个电容器结构。
主权项：1.一种半导体存储器件，包括：衬底，包括在存储单元区中的多个有源区；多个位线结构，在所述存储单元区中沿第一水平方向彼此平行地延伸；多个掩埋接触部，分别电连接到所述多个有源区，所述多个掩埋接触部部分地填充所述多个位线结构之间的空间；多个下着接焊盘，在所述多个位线结构之间的空间中，并且分别在所述多个掩埋接触部上；着接焊盘绝缘结构，与所述多个位线结构和所述多个下着接焊盘接触，所述着接焊盘绝缘结构包括多个着接焊盘孔；多个上着接焊盘，分别填充所述多个着接焊盘孔，并且分别连接到所述多个下着接焊盘；以及多个电容器结构，包括多个下电极、上电极、以及在所述多个下电极和所述上电极之间的电容器介电层，所述多个下电极分别电连接到所述多个上着接焊盘。
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