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申请/专利权人：康普泰克解决方案公司
申请日：2023-11-24
公开（公告）日：2024-06-14
公开（公告）号：CN118198853A
主分类号：H01S5/028
分类号：H01S5/028
优先权：["20221212 EP 22212687.2"]
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.14#公开
摘要：公开了一种钝化切割半导体结构202以用作边发射激光器件的方法100和系统200。该方法100包括提供具有第一腔室206和第二腔室208的外壳结构204、用于接收和传送给定结构202的传送臂224以及用于将给定结构安装在第二腔室中的固定装置226。该方法100还包括将界定了第一小面202A的切割半导体结构装载到第一腔室中的传送臂上，使用传送臂传送切割半导体结构，将切割半导体的第一小面202A暴露在清洁源214的清洁束下，以及将裂切割半导体结构的第一小面暴露在氧化源218的氧化剂下，以在切割半导体结构的第一小面上形成有序氧化物层236。
主权项：1.一种钝化切割半导体结构以用作边发射激光器件的方法100，其特征在于，该方法100包括：-提供一个外壳结构其中有第一腔室和第二腔室、用于接收给定结构并将其从第一腔室传送到第二腔室的传送臂、以及用于在第二腔室中安装给定结构的固定装置，并且第一腔室和第二腔室满足其内部提供真空条件；-将界定第一小面的切割半导体结构安装到第一腔室的传送臂上；-使用传送臂将切割后的半导体结构从第一腔室传送至第二腔室，以将切割后的半导体结构安装到第二腔室中的固定装置上；通过操纵第二腔室中的固定装置，将切割后的半导体结构的第一小面暴露在与其相对的清洁源发出的清洁束下，以去除可能在切割后的半导体结构的第一小面上形成的原生氧化层；-通过操纵第二腔室中的固定装置，将切割后的半导体结构的第一小面暴露在与其相对的加热源发出的热能下，以加热切割后的半导体结构的第一小面；和-通过操纵第二腔室中的固定装置，将切割后的半导体结构的第一小面暴露在与第一面相对的氧化源释放的氧化剂下，以在切割后的半导体结构的第一小面上形成有序的氧化物层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 康普泰克解决方案公司 钝化切割后的半导体结构的方法
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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