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申请/专利权人：无锡先为科技有限公司
申请日：2024-03-18
公开（公告）日：2024-06-14
公开（公告）号：CN118186363A
主分类号：C23C16/32
分类号：C23C16/32;C23C16/458;C30B25/12;C23C16/30;C23C16/02;C23C16/26;C23C16/56;H01L21/673
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.14#公开
摘要：一种从石墨基座到其保护涂层的过渡方法，涉及半导体制造领域，包括：步骤S1，在石墨基座的表面形成第一缓冲层，第一缓冲层为保护涂层与碳层混合的过渡层，或第一缓冲层为厚度不高于200μm的保护涂层；步骤S2，进行刻蚀处理，形成自第一缓冲层表面向下凹陷的第一纹理；步骤S3，在处理后的表面沉积第一碳层；步骤S4，再次进行刻蚀处理，形成自第一碳层向下凹陷的第二纹理；步骤S5，在处理后的表面沉积第二缓冲层，第二缓冲层为保护涂层与碳层混合的第二过渡层，或，第二缓冲层为厚度不高于200μm的保护涂层；步骤S6，在第二缓冲层上沉积保护涂层；第一纹理的深度不小于第一缓冲层的厚度，第二纹理的深度不小于第一碳层的厚度。
主权项：1.一种从石墨基座（100）到其保护涂层（200）的过渡方法，其特征在于，所述过渡方法包括：步骤S1，在所述石墨基座（100）的表面形成第一缓冲层（120），所述第一缓冲层（120）为所述保护涂层（200）与碳层混合的过渡层，或，所述第一缓冲层（120）为厚度不高于200μm的所述保护涂层（200）；步骤S2，进行刻蚀处理，形成自所述第一缓冲层（120）表面向下凹陷的第一纹理（310）；步骤S3，在处理后的表面沉积第一碳层（101）；步骤S4，再次进行刻蚀处理，形成自所述第一碳层（101）向下凹陷的第二纹理（320）；步骤S5，在处理后的表面沉积第二缓冲层（121），所述第二缓冲层（121）为所述保护涂层（200）与碳层混合的第二过渡层，或，所述第二缓冲层（121）为厚度不高于200μm的所述保护涂层（200）；步骤S6，在所述第二缓冲层（121）上沉积所述保护涂层（200）；其中，所述第一纹理（310）的深度不小于所述第一缓冲层（120）的厚度，所述第二纹理（320）的深度不小于所述第一碳层（101）的厚度。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 无锡先为科技有限公司 一种从石墨基座到其保护涂层的过渡方法及石墨基体
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