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申请/专利权人：天津大学
申请日：2024-05-20
公开（公告）日：2024-06-14
公开（公告）号：CN118201480A
主分类号：H10N97/00
分类号：H10N97/00
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.14#公开
摘要：本发明提供一种碳基无源器件以及碳基无源器件的制备方法，碳基无源器件的制备方法包括：利用第一电子束对涂覆在衬底上的第一光刻胶进行诱导生长，得到碳电极；利用第二电子束对涂覆在碳电极上的第二光刻胶进行诱导生长，得到碳绝缘层；将石墨烯结构转移到碳绝缘层上，对石墨烯结构进行图形化处理，得到石墨烯电极，从而形成碳基无源器件，由碳基无源器件的制备方法构建的全碳无源器件性能稳定，且无需其他半导体加工工艺再次加工，具有优异的实用价值。
主权项：1.一种碳基无源器件的制备方法，其特征在于，包括：利用第一电子束对涂覆在衬底上的第一光刻胶进行诱导生长，得到碳电极；利用第二电子束对涂覆在所述碳电极上的第二光刻胶进行诱导生长，得到碳绝缘层；将石墨烯结构转移到所述碳绝缘层上，对所述石墨烯结构进行图形化处理，得到石墨烯电极，从而形成碳基无源器件。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 天津大学 碳基无源器件以及碳基无源器件的制备方法
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