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申请/专利权人：安徽矽芯微电子科技有限公司
申请日：2024-03-26
公开（公告）日：2024-06-14
公开（公告）号：CN118194808A
主分类号：G06F30/392
分类号：G06F30/392;G06F30/398;G06F115/02
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.14#公开
摘要：本发明公开了基于GaAs工艺的减少BSV通孔寄生和耦合效应的方法，属于半导体集成电路领域，方法步骤如下：S1、在电路原理图设计的基础上，提前将理想接地都换成BSV通孔，降低后仿时的寄生效应；S2、电路原理图设计完成后检查换成BSV通孔的电路原理图是否符合指标并进行前仿；S3、在电路版图设计时，BSV通孔与BSV通孔之间要保持适当的间距，距离过近会有较大的耦合效应；S4、电路版图设计完成后检查电路的电路版图是否符合指标；S5、对电路版图进行DRC检查。本发明是基于砷化镓工艺，进行前仿电路原理图设计时提前把BSV的电路版图生成emModel放进去代替理想的GND，然后再进行设计和优化；提前整体消除了BSV通孔的寄生影响，增加安全性。
主权项：1.基于GaAs工艺的减少BSV通孔寄生和耦合效应的方法，其特征在于，方法步骤如下：S1、在电路原理图设计的基础上，提前将理想接地都换成BSV通孔，降低后仿时的寄生效应；S2、电路原理图设计完成后检查换成BSV通孔的电路原理图是否符合指标并进行前仿；若符合指标继续进行下一步；若不符合指标，对相应的电路原理图进行优化直至符合为止；S3、对照电路原理图进行电路版图设计，在电路版图设计时，BSV通孔与BSV通孔之间要保持适当的间距，距离过近会有较大的耦合效应；S4、电路版图设计完成后检查电路的电路版图是否符合指标；若符合指标继续进行下一步；若不符合指标，对相应的电路版图设计进行优化直至符合为止；S5、对电路版图进行DRC检查，对电路板进行总体检查，以排除基本错误，或发现忽略的小问题。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 安徽矽芯微电子科技有限公司 基于GaAs工艺的减少BSV通孔寄生和耦合效应的方法
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