龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
申请/专利权人：深圳先进技术研究院
申请日：2024-03-08
公开（公告）日：2024-06-14
公开（公告）号：CN118186352A
主分类号：C23C14/35
分类号：C23C14/35;H01L31/18;H01L31/0392;H01L31/032;H01L31/0216;C23C14/06;C23C14/08;C23C14/02;C23C14/54;C23C14/24;C23C14/18
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.14#公开
摘要：本申请提供的缓冲层、铜铟镓硒薄膜太阳能电池及制备方法，在CIGS吸收层上以射频磁控溅射法沉积Zn1‑xAlxO,S缓冲层；其中：在所述射频磁控溅射法中工作气体为氩气和H2S，所述氩气与H2S流量的调控比例在15:1‑30:1区间，通过控制氩气和H2S的流量来调整SS+O，使得Zn1‑xAlxO,S缓冲层与吸收层可以有更好的匹配，缓冲层的可见光区透射率可达90％以上，制备得到的铜铟镓硒薄膜太阳能电池的光学带隙宽度在2.6～3.8eV之间。
主权项：1.一种缓冲层的制备方法，其特征在于，包括下述步骤：在CIGS吸收层上以射频磁控溅射法沉积Zn1-xAlxO,S缓冲层；其中：在所述射频磁控溅射法中工作气体为氩气和H2S，所述氩气与H2S流量的调控比例在15:1-30:1区间。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 深圳先进技术研究院 缓冲层、铜铟镓硒薄膜太阳能电池及制备方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号