龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
申请/专利权人：意法半导体(克洛尔2)公司
申请日：2023-12-13
公开（公告）日：2024-06-14
公开（公告）号：CN118198151A
主分类号：H01L29/93
分类号：H01L29/93;H01L21/329;H01L29/06
优先权：["20221214 FR 2213344","20231212 US 18/537,135"]
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.14#公开
摘要：一种变容二极管，在第一导电类型的掺杂半导体衬底上形成。二极管包括在半导体衬底中的第二导电类型的第一掺杂区域。在第一掺杂区域的部分中的第一导电类型的第二掺杂区域、和在第一掺杂区域的另一部分中的第二导电类型的第三掺杂区域形成二极管的PN结。第一绝缘沟槽横向地界定每个PN结。具有比第一掺杂区域更高的掺杂水平的掺杂区域被在第一掺杂区域内提供，在每个第一绝缘沟槽的底部下并且与每个第一沟槽的底部接触。二极管被比第一绝缘沟槽更深的第二绝缘沟槽围绕。
主权项：1.一种变容二极管，包括：第一导电类型的掺杂半导体衬底；第二导电类型的第一掺杂区域，所述第二导电类型与在所述掺杂半导体衬底中的所述第一导电类型相反；所述第一导电类型的第二掺杂区域，在所述第一掺杂区域的第一部分中；所述第二导电类型的第三掺杂区域，位于在所述第二掺杂区域之下并且与所述第二掺杂区域接触的所述第一掺杂区域的第二部分中，其中所述第二掺杂区域与所述第三掺杂区域之间的界面限定所述变容二极管的PN结；第一绝缘沟槽，横向地界定所述PN结，所述第一绝缘沟槽具有比所述第一掺杂区域的深度小的深度；所述第一掺杂区域的接触区，位于所述第一掺杂区域的第三部分中，所述第三部分位于所述第一绝缘沟槽与所述PN结相对的一侧处；以及在所述第一掺杂区域中的掺杂区，所述掺杂区在每个第一绝缘沟槽的下表面下方，并且与每个第一绝缘沟槽的下表面接触，其中每个掺杂区具有高于所述第一掺杂区域的掺杂水平的掺杂水平。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 意法半导体(克洛尔2)公司 变容二极管
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号