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申请/专利权人：西安电子科技大学
申请日：2024-02-01
公开（公告）日：2024-06-14
公开（公告）号：CN118198171A
主分类号：H01L31/101
分类号：H01L31/101;H01L31/0304;H01L31/18
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.14#公开
摘要：本发明公开了一种AlNAl1‑xScxN异质结日盲探测器及其制备方法，使用铁电性能更佳的Al1‑xScxN铁电材料与AlN形成异质结，既能保证与AlN的最小晶格失配，又能保证铁电层的高质量生长。器件耗尽区的宽度与内置电场的强度变得可由去极化场来调节，充分促进了光生载流子的分离。其次使用较薄的AlN层能够有效提高内建电场强度与2DEG浓度，进而增加光生电子迁移率，且在外电场施加下呈现更好的铁电性，使器件在工作时探测更为精准、响应度和响应速率更高。同时本发明提出了所述AlNAl1‑xScxN异质结日盲探测器的制备方法，能与现有CMOS工艺兼容，降低生产成本。
主权项：1.一种AlNAl1-xScxN异质结日盲探测器，其特征在于，包括依次布置的衬底层1，AlN层2，Al1-xScxN铁电材料层3和电极层；其中x表示掺入Sc的摩尔浓度，取值范围为0＜x≤0.5，其中所述AlN层2和Al1-xScxN铁电材料层3构成异质结。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西安电子科技大学 一种AlN/Al1-xScxN异质结日盲探测器及其制备方法
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