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申请/专利权人：ASMIP私人控股有限公司
申请日：2023-12-11
公开（公告）日：2024-06-14
公开（公告）号：CN118186364A
主分类号：C23C16/34
分类号：C23C16/34;C23C16/513;C23C16/52
优先权：["20221214 US 63/432,417"]
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.14#公开
摘要：公开了用于在衬底上沉积氮化硼膜的方法和系统。更具体地，本发明涉及可用于通过PECVD过程沉积氮化硼膜的方法和系统。
主权项：1.一种在衬底表面上形成包含氮化硼的膜的方法，该方法包括：将衬底提供到反应室中；并且执行包括多个沉积循环的循环沉积过程，多个沉积循环中的沉积循环包括：将硼前体提供到反应室中；将沉积等离子体气体提供到反应室中；以及产生沉积等离子体，其中，硼前体具有对应于以下通式的结构： 其中，R1、R2、R3、R4、R5和R6中的至少两个是卤素。
全文数据：
权利要求：
百度查询： ASMIP私人控股有限公司 用于沉积氮化硼的方法和系统
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