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申请/专利权人：天津大学
申请日：2024-05-20
公开（公告）日：2024-06-14
公开（公告）号：CN118183717A
主分类号：C01B32/184
分类号：C01B32/184;C01B32/182;B82Y40/00
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.14#公开
摘要：本发明提供了一种石墨烯纳米带及其制备方法，应用于半导体器件技术领域。该石墨烯纳米带呈螺旋结构或呈具有相同中心点的M个封闭图形结构，其中，M为≥1的正整数。该石墨烯纳米带的制备方法包括：（1）将SiC衬底在真空条件下退火；（2）将退火后的SiC衬底在惰性气体气氛下于第一温度下加热第一预设时长；（3）将SiC衬底在惰性气体气氛下于第二温度下进一步加热第二预设时长；（4）将SiC衬底在惰性气体氛围下刻蚀，在SiC衬底的表面上得到上述石墨烯纳米带。
主权项：1.一种石墨烯纳米带，其特征在于，所述石墨烯纳米带呈螺旋结构或所述石墨烯纳米带呈具有相同中心点的M个封闭图形结构，其中，M为≥1的正整数。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 天津大学 一种石墨烯纳米带及其制备方法
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