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申请/专利权人：信越化学工业株式会社
申请日：2019-12-27
公开（公告）日：2024-06-14
公开（公告）号：CN111591998B
主分类号：C01B33/03
分类号：C01B33/03
优先权：["20190220 JP 2019-027952"]
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.14#授权;2022.03.04#实质审查的生效;2020.08.28#公开
摘要：一种多晶硅制造装置，本发明提供了一种可以提高多晶硅制造装置的反应炉内的密封性及电极与底板之间的绝缘性的技术。在用于对硅芯线供给电力的电极和底板部之间设置一体式套筒结构的绝缘部件，将密封部件分别配置于绝缘部件的凸缘部的至少一部分和绝缘部件的直主体部的至少一部分。
主权项：1.一种多晶硅制造装置，是基于西门子法的多晶硅的制造装置，其中，在用于对硅芯线供给电力的电极和底板部之间具备一体式套筒结构的绝缘部件，所述绝缘部件具有在直主体部的上部设置有凸缘部的形状，该绝缘部件的凸缘部的至少一部分嵌入于所述电极的凸缘部的下表面和所述底板部的上表面之间，并且所述绝缘部件的直主体部的至少一部分嵌入于所述电极的直主体部和设置于所述底板部的贯通孔部的侧面之间，所述绝缘部件的直主体部的在所述贯通孔部的轴向上的高度大于所述贯通孔部的在轴向上的高度，在所述绝缘部件的至少两部位配置有密封部件。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 信越化学工业株式会社 多晶硅制造装置
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