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申请/专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
摘要：本发明提供一种介电材料的制备方法及半导体结构，该制备方法包括以下步骤：提供一基底，并依次形成石墨烯层、至少一介电材料层及支撑层；将由介电材料层及支撑层组成的叠层结构从石墨烯层表面机械剥离；将叠层结构转移至目标衬底，介电材料与目标衬底的表面接触；去除支撑层，并使介电材料层留在目标衬底的表面。本发明通过在石墨烯上制作介电材料层，利用石墨烯与介电材料层间较弱的范德华接触易于剥离的特点，实现任意介电材料层的剥离，并转移至任意目标衬底形成范德华接触，扩展了介电材料层的可应用范围，减少了介电材料层制作过程对目标衬底材料的损伤，有助于提高器件性能，并降低介电材料层的制作成本。
主权项：1.一种介电材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一基底；形成单层石墨烯层于所述基底的上表面；形成至少一介电材料层于所述石墨烯层的上表面；形成支撑层于所述石墨烯层的上表面，所述支撑层覆盖所述介电材料层；将由所述介电材料层及所述支撑层组成的叠层结构从所述石墨烯层表面机械剥离；将所述叠层结构转移至目标衬底，所述介电材料层与所述目标衬底的表面接触；去除所述支撑层，并使所述介电材料层留在所述目标衬底的表面。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 一种介电材料的制备方法及半导体结构
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