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【发明授权】一种β相氧化镓薄膜及其制备和掺杂方法_西安邮电大学;宝鸡文理学院_202211478522.3 

申请/专利权人:西安邮电大学;宝鸡文理学院

申请日:2022-11-23

公开(公告)日:2024-06-14

公开(公告)号:CN115928014B

主分类号:C23C14/08

分类号:C23C14/08;C23C14/30;C23C14/58;C23C14/02;C23C14/54;B82Y20/00;B82Y30/00;B82Y40/00

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2024.06.14#授权;2023.04.25#实质审查的生效;2023.04.07#公开

摘要:本发明属于半导体薄膜技术领域,具体涉及一种β相氧化镓薄膜及其制备和掺杂方法。本发明提供的制备方法:采用电子束将氧化镓物料蒸发在衬底表面沉积成膜;将得到的初级β相氧化镓薄膜在空气中进行高温退火处理;或采用电子束分别将氧化镓物料和金属锌颗粒蒸发在衬底表面沉积,将形成的三明治结构多层膜在空气中进行高温退火处理得到锌掺杂的氧化镓薄膜。本发明提供的制备方法采用电子束蒸发在衬底表面镀膜,然后进行高温退火处理,有效改善了电子束蒸发得到的β相Ga2O3薄膜和锌掺杂氧化镓薄膜的结构、形貌、光学和电学性能,薄膜晶界清晰,具有更高择优取向和更大晶粒尺寸,且光致发光强度和光学透射率都有很大提高。

主权项:1.一种锌掺杂氧化镓薄膜的制备方法,其特征性在于,包括以下步骤:采用电子束分别将氧化镓物料和锌粒蒸发,在衬底表面形成三明治结构多层膜,所述三明治结构多层膜为依次层叠设置的第一氧化镓膜,锌膜和第二氧化镓膜;所述第一氧化镓膜的厚度为100nm,所述第二氧化镓膜的厚度为100nm;采用电子束蒸发镀膜时,所述衬底的温度为室温~400℃;将所述三明治结构多层膜在空气中进行高温退火处理,得到所述锌掺杂氧化镓薄膜。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 西安邮电大学;宝鸡文理学院 一种β相氧化镓薄膜及其制备和掺杂方法

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