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申请/专利权人：厦门士兰明镓化合物半导体有限公司
申请日：2023-10-31
公开（公告）日：2024-06-14
公开（公告）号：CN221150051U
主分类号：H01L33/14
分类号：H01L33/14;H01L33/20;H01L33/38;H01L33/42
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.14#授权
摘要：本实用新型提供了一种发光二极管，包括：第一电极层、第二电极层和外延结构，其中外延结构包括p型半导体层、有源层和n型半导体层，有源层包裹至少部分p型半导体层，n型半导体层包裹有源层，第一电极层与n型半导体层电连接，第二电极层与p型半导体层电连接。本实用新型的发光二极管的外延结构采用逐层包裹结构，使得电子和空穴有更大的复合面积，可以提高发光效率。
主权项：1.一种发光二极管，其特征在于，包括：第一电极层、第二电极层和外延结构，其中所述外延结构包括p型半导体层、有源层和n型半导体层，所述有源层包裹至少部分所述p型半导体层，所述n型半导体层包裹所述有源层，所述第一电极层与所述n型半导体层电连接，所述第二电极层与所述p型半导体层电连接。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 厦门士兰明镓化合物半导体有限公司 发光二极管
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