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申请/专利权人：北京大学
申请日：2023-10-20
公开（公告）日：2024-06-18
公开（公告）号：CN118213401A
主分类号：H01L29/78
分类号：H01L29/78;H01L21/336
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.18#公开
摘要：本申请提供一种垂直晶体管的制备方法及垂直晶体管，该方法包括：通过前道工艺，在衬底上形成一垂直晶体管；翻转衬底所在的晶圆，并对衬底进行减薄处理，直至达到预设厚度；在减薄处理后的衬底上的有源区刻蚀第一通孔，以暴露第一有源结构；在第一通孔内沉积金属材料，以形成第一有源结构对应的第一接触孔。通过本申请，可以使第一接触孔和第二接触孔分别设置在垂直晶体管的底部和顶部，有利于缩小第一有源结构的尺寸，进而达到缩小垂直晶体管尺寸的目标。
主权项：1.一种垂直晶体管的制备方法，其特征在于，包括：通过前道工艺，在衬底上形成一垂直晶体管；翻转所述衬底所在的晶圆，并对所述衬底进行减薄处理，直至达到预设厚度；在减薄处理后的衬底上的有源区刻蚀第一通孔，以暴露第一有源结构；在所述第一通孔内沉积金属材料，以形成所述第一有源结构对应的第一接触孔。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京大学 一种垂直晶体管的制备方法及垂直晶体管
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