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申请/专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日：2022-12-09
公开（公告）日：2024-06-18
公开（公告）号：CN118212953A
主分类号：G11C11/406
分类号：G11C11/406;G11C11/4063
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.18#公开
摘要：本公开提供一种刷新控制电路、数据刷新电路、数据刷新方法及存储设备，包括：弱位元刷新控制信号生成电路，用于接收刷新命令信号和行锤击刷新控制信号，以生成弱位元刷新控制信号；地址控制电路的控制输入端用于分别接收弱位元刷新控制信号和行锤击刷新控制信号，地址控制电路的数据输入端用于分别接收弱位元行地址、行锤击刷新地址和存储电路中的正常行地址，以在弱位元刷新控制信号和行锤击刷新控制信号的控制下，根据弱位元行地址、或行锤击刷新地址、或正常行地址生成待刷新行地址，弱位元行地址包括数据保留时长小于刷新周期的存储单元所在的行地址。本公开可以提高弱位元的刷新频率，降低弱位元的数据丢失率和降低存储电路的数据丢失率。
主权项：1.一种刷新控制电路，其特征在于，包括：弱位元刷新控制信号生成电路和地址控制电路，所述弱位元刷新控制信号生成电路与所述地址控制电路连接；所述弱位元刷新控制信号生成电路用于接收刷新命令信号和行锤击刷新控制信号，以根据所述刷新命令信号和所述行锤击刷新控制信号生成弱位元刷新控制信号；所述地址控制电路的两个控制输入端用于分别接收所述弱位元刷新控制信号和所述行锤击刷新控制信号，所述地址控制电路的三个数据输入端用于分别接收弱位元行地址、行锤击刷新地址和存储电路中的正常行地址，以在所述弱位元刷新控制信号和所述行锤击刷新控制信号的控制下，根据所述弱位元行地址、或所述行锤击刷新地址、或所述正常行地址生成待刷新行地址，所述弱位元行地址包括数据保留时长小于刷新周期的存储单元所在的行地址。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 长鑫存储技术有限公司 刷新控制电路、数据刷新电路、数据刷新方法及存储设备
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