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申请/专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日：2024-03-05
公开（公告）日：2024-06-18
公开（公告）号：CN118209247A
主分类号：G01L21/00
分类号：G01L21/00
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.18#公开
摘要：本发明公开了一种薄膜式真空规用抑制沉积导流模块及薄膜式真空规，主要通过设置多个导流通道，沉积物或侵蚀物将部分的沉积到导流通道侧壁面，从而减少应变膜片受到的污染。本发明的主要技术方案为：一种薄膜式真空规用抑制沉积导流模块，薄膜式真空规包括应变膜片和测试气入口，抑制沉积导流模块包括：主体，主体包括第一端面和第二端面，第一端面用于与应变膜片相对，第二端面用于与测试气入口相对；主体上开设有多个导流通道，导流通道贯通第一端面和第二端面。本发明主要用于抑制薄膜式真空规中附着物沉积。
主权项：1.一种薄膜式真空规用抑制沉积导流模块，所述薄膜式真空规包括应变膜片和测试气入口，其特征在于，所述抑制沉积导流模块包括：主体100，所述主体100包括第一端面110和第二端面120，所述第一端面110用于与所述应变膜片相对，所述第二端面120用于与所述测试气入口相对；所述主体100上开设有多个导流通道101，所述导流通道101贯通所述第一端面110和所述第二端面120。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院微电子研究所 一种薄膜式真空规用抑制沉积导流模块及薄膜式真空规
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