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申请/专利权人：美光科技公司
摘要：本申请案涉及包括阶梯的电子装置。本申请案涉及形成半导体装置的方法以及相关的半导体装置。一种形成半导体装置的方法包括：在包括至少一种材料的堆叠上方形成图案化的抗蚀剂；及移除所述堆叠的由所述图案化的抗蚀剂暴露出的一部分以形成堆叠开口。横向地移除所述图案化的抗蚀剂的一部分以形成已修整抗蚀剂，且移除所述堆叠的由所述已修整抗蚀剂暴露出的额外部分以在所述堆叠的侧壁中形成阶梯。在所述堆叠的所述侧壁之间形成介电材料以基本上完全填充所述堆叠开口，并将所述介电材料平坦化。本发明揭示额外方法以及半导体装置。
主权项：1.一种电子装置，其包括：堆叠材料的部分中的相对的阶梯，所述堆叠材料包括层级，所述层级中的一些层级无所述相对的阶梯；填充材料，其包括邻近所述堆叠材料的所述相对的阶梯的单一材料；及至少一个半导体特征，其邻近所述堆叠材料。
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