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申请/专利权人：富士电机株式会社
申请日：2023-05-17
公开（公告）日：2024-06-18
公开（公告）号：CN118216005A
主分类号：H01L29/739
分类号：H01L29/739;H01L21/8234;H01L27/06;H01L27/088;H01L29/06;H01L29/41;H01L29/78;H01L29/861;H01L29/868
优先权：["20220518 JP 2022-081725"]
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.18#公开
摘要：提供一种半导体装置，具备：半导体基板，其设置有第一导电型的漂移区；第一导电型的发射区，其与半导体基板的所述上表面相接地设置，且掺杂浓度比所述漂移区的掺杂浓度高；第二导电型的基区，其与所述发射区相接地设置；第二导电型的集电区，其设置在所述漂移区与所述半导体基板的所述下表面之间；以及第一导电型的浮置区，其与所述集电区的上表面相接地设置，且掺杂浓度比所述集电区的掺杂浓度高，所述集电区具有未被所述浮置区覆盖的第一区域、以及被所述浮置区覆盖的第二区域。
主权项：1.一种半导体装置，其特征在于，具备：半导体基板，其具有上表面和下表面且设置有第一导电型的漂移区；第一导电型的发射区，其与所述半导体基板的所述上表面相接地设置，且掺杂浓度比所述漂移区的掺杂浓度高；第二导电型的基区，其与所述发射区相接地设置；第二导电型的集电区，其设置在所述漂移区与所述半导体基板的所述下表面之间；以及第一导电型的浮置区，其与所述集电区的上表面相接地设置，且掺杂浓度比所述集电区的掺杂浓度高，所述集电区具有未被所述浮置区覆盖的第一区域、以及被所述浮置区覆盖的第二区域。
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